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如何准确选择mos管

  mos管一般就是pmos,靠空穴流动运送电流的mos管。那要如何选择一个合适的mos管呢?
 
  一、选择n沟道还是p沟道。在典型的功率应用中,mos管接地,负荷连接到干线电压时,该mos管管组成低压侧开关。在低压侧开关中,应采用n沟道mos管,这是关闭或导通部件所需的电压。mos管连接到总线和负荷接地时,请使用高压侧开关。通常在这个中采用p沟道的mos管,也是为了考虑电压驱动。选择适合应用的设备,必需确定驱动设备所需的电压和设计中比力简单的执行方法。
 
  二、确定额定电流。按照电路布局,这个额定电流应该是所有情况下都能承受的较大电流。与电压状况类似,设计人员务必确保选用的mos管能够承种额定电流,即使系统产生尖峰电流。两个考虑的电流状况是持续模式和脉冲高峰。在持续导向模式下,mos管不变,此时电流持续通过设备。脉冲尖峰是指大量电涌(或尖峰电流)流过设备。只要确定了这些条件下的较大电流,就可以直接选择能够承受这个较大电流的设备。
 
  三、计算导通损失。实际上,mos管不是抱负的设备。因为在导电过程中会产生电力损失,所以被称为导电损失。mos管在“导通”时像可变电阻,由设备的RDS(ON)决定,随着温度而显着变化。设备的功力消耗可以用Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度的变化,电力消耗也会按比例变化。对mos管施加的电压VGS越高,RDS(ON)越小,RDS(ON)越高。对于系统设计者来说,这是按照系统的电压需要折中权衡的地方。在便携式设计中,采用较低的电压更轻易(更常见),而对于工业设计,可以使用较高的电压。请留意RDS(ON)电阻随电流稍微上升。RDS(ON)电阻的各种电参数变化可以在制造商提供的技术资料表中找到。
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  四、确定热要求。设计人员必需考虑两种不同的情况,建议采用很不好的情况计算成果。因为这个成果提供了更大的安全馀量,所以系统不会失效。mos管的资料表上有需要留意的测量数据,例如包装部件的半导体结和环境之间的热阻和较大结温。
 
  设备的结温等于环境温度极限和热阻和功率消耗的乘积(结温=较大环境温度+[热阻×功率消耗])。按照该方程可以解决系统的较大功率消耗,即按照定义相当于I2×RDS(ON)。设计者决定通过设备的较大电流,因此可以计算不同温度的RDS(ON)。值得留意的是,在处理简单的热模型时,设计者还必需考虑半导体结/设备外壳和外壳/环境的热容量,即印刷电路板和封装不会立即升温。
 
  五、决定开关的性能。影响开关性能的参数有很多,但主要的是栅极/漏极、栅极/源和漏极/源极电容器。这些电容器在设备中产生开关损失。因为每次开关都要充电。mos管的开关速度下降,设备效率也下降。为了计算开关中设备的总损失,设计者必需计算开关中的损失(Eon)和关闭中的损失(Eoff)。MOSFET开关的总功率如下:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响非常大。
 
  那么今天的讲解就先到这里了,以上就是今天的全部内容,相信大家对如何准确选择mos管也有了必然的熟悉。非常感谢您的耐心阅读。如还想了解更多关于mos管的相关问题,您可以拨打右上角的办事热线,与我们咨询。
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